国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122094101A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；晶体管结构沿第一方向叠层设置于衬底上，晶体管结构包括有源层，第一方向与衬底相交；字线结构沿第一方向至少部分设置于晶体管结构中作为栅极，多层对应的晶体管结构共用字线结构；位线结构与晶体管结构同层设置并与有源层连接；存储节点与晶体管结构同层设置并与有源层连接；位线结构与存储节点位于晶体管结构沿第二方向的两端，第二方向与衬底平行；有源层为掺杂的氧化物半导体层。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1080次，财产线索方面有商标信息285条，专利信息673条，此外企业还拥有行政许可39个。

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作者：情报员