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作者 | 广州期货
源 | 广州期货

编辑 | 杨兰

审核 | 浦电路交易员

2026年5月25日,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在IEEE国际电路与系统研讨会上首次提出半导体全新演进路径——“韬(τ)定律”。横空出世的“韬(τ)定律”让全球科技圈为之沸腾,当日半导体板块股票集体暴涨,其中,晶圆代工龙头中芯国际更是盘中触及20%涨停,收涨18.78%,单日市值暴涨至1.25万亿。在期货市场,作为半导体的上游原料,当日多晶硅主力合约2606合约涨1.2%,收盘于36995元/吨。

01

“韬(τ)定律”到底是什么

韬(τ),是物理学和电子学中代表时间常数的符号,用于描述系统对输入信号或扰动的响应速度。韬(τ)越小,系统响应越快,或者衰减越快,惯性越弱。

“韬(τ)定律”的核心主张,是用【时间缩微】替代【几何缩微】,把系统的时间常数τ持续压到更小,以此提升性能、密度与能效,不再只靠把晶体管做小。“韬定律”的变革性在于两大方面:

1、替换优化变量。此前,半导体行业的“铁律”为1956年公布的“摩尔定律”,通过把元件做得更小来提升性能,晶体管越小,意味着同样面积就能塞越多,芯片就越快、越省电、还越便宜,但越到2nm、1nm,物理极限和经济效益已经触顶。对比之下,“韬定律”不再受限于优化物理尺寸,而是通过将优化变量瞄向时间常数τ,并且互连线电阻、寄生电容、布线拓扑、逻辑折叠层数、系统互联协议等因素皆可以影响时间常数τ,是一条全新的可持续演进路线。

2、逻辑折叠技术创新。台积电、英特尔等已将逻辑折叠技术应用于器件层,而华为“韬定律”进一步将折叠思路从封装层下沉到电路布局层,并将其与器件优化、全栈软硬协同、系统互联总线形成四层级协同。

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图片来源:公众号韬定律

据何庭波透露,华为过去六年已基于该定律成功设计并量产了381款芯片,并且今年秋季将发布完整采用逻辑折叠技术的麒麟手机芯片。此外,预计到2031年,基于“韬定律”的高端芯片,晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。

这意味着“韬(τ)定律” 是一套可执行、可验证、已跑通的系统级方法论。这是中国在全球半导体行业首次提出指导产业发展的新原则,打破技术垄断的战略突围,标志着我国半导体产业正从技术追赶逐步迈向原创引领的全新阶段。

02

关联哪些期货品种需求

“韬定律”将推动整条半导体产业链的系统性升级,其中,晶圆制造、先进封装、半导体设备、光刻设备等细分领域有望为工业硅、多晶硅、铜等期货品种带来需求增量空间。长期来看,半导体产业变革可能重塑相关期货品种的供需格局与定价逻辑,也为产业套保、市场交易挖掘出长期可跟踪的主线机遇。

1、工业硅&多晶硅

晶圆制造是“韬定律”的工艺底座。在“韬定律”体系下,通过逻辑折叠,14nm、28nm、55nm等“低端”的成熟晶圆制程可以实现等效7nm、5nm 先进制程的性能,同时具备成本低、良率高、产能充足的巨大优势。此外,传统平面芯片仅使用单层有源晶圆,而逻辑折叠技术通过电路垂直分层重构,单颗芯片需叠加2—4层晶圆,显著提高单产品晶圆消耗量。“韬定律”体系下,晶圆将迎来价值重估与需求提升,自上而下地带动工业硅及多晶硅需求扩容。

工业硅及多晶硅是晶圆的核心原料,决定晶圆的良率与性能。高纯度工业硅是制备电子级多晶硅的核心原料,而电子级多晶硅拉制得到单晶硅棒,然后单晶硅棒经过切割、研磨、抛光后就制成了晶圆。

图:晶圆上下游结构

资源来源:公开资料

相较于传统单层平面芯片,“韬定律”逻辑折叠、3D堆叠技术通过多层晶圆垂直键合实现性能提升,使单颗芯片硅料单耗提升2–3倍;同时多层混合键合工艺良率略低于传统平面制程,行业需配备3%–5%备用晶圆补偿生产损耗,进一步增厚电子级多晶硅消费需求。伴随韬定律技术渗透率持续提升,成熟制程先进封装芯片规模化放量,将持续释放电子级多晶硅中长期增量,同时加速国内高端硅料的国产化替代进程。电子级多晶硅的需求扩张也将进一步提升高纯工业硅结构性需求,推动工业硅行业产品结构向高纯化、高端化方向升级。

假设2025—2030年晶圆需求的年复合增速CAGR=11.5%,2030年“韬定律”的市场渗透率达到50%,单芯片硅料单耗提升倍数为2.5倍,混合键合良率补偿备用晶圆比例为4%,单枚12英寸晶圆纯新料多晶硅单耗为196g/片,硅料回收复用比例为15%。那么,据测算,到2030年,“韬定律”预计为电子级多晶硅带来的需求增量为5.51万吨/年,较2025年电子级多晶硅需求4万吨量级增加137.7%,较2025年多晶硅总需求量149万吨量级增加3.70%。按1吨电子级多晶硅消耗1.15吨工业硅计算,到2030年,“韬定律”预计为工业硅带来的半导体领域需求增量为6.34万吨/年,较2025年半导体领域对工业硅需求量4.6万吨/年增加137.7%,较2025年工业硅总需求量530万吨增加1.19%。

2、铜

“韬定律”体系下,先进封装各类工艺对铜材的单耗数倍提升,叠加配套光刻与半导体设备持续扩容,为中长期铜需求带来想象空间:

在先进封装领域,铜作为3D堆叠、逻辑堆叠架构的核心导电材料,主要应用于四类工艺: TSV 硅通孔电镀铜填充,是芯片垂直互连的核心载体; RDL重布线层高密度铜线路,实现多颗芯粒间高速信号传输;高端ABF载板、CCL基板所用超薄铜箔,适配HBM、高端AI芯片封装需求。

在半导体设备领域,铜可用于测试设备的水冷板与热沉,应对3D堆叠芯片带来的高热密度工况;同时应用于设备内部信号线缆、导电电极,以及高导热铜合金精密结构件。

在光刻设备领域,DUV、EUV 光刻机的热管理系统普遍采用铜质冷却盘管;真空腔体内部静电屏蔽、接地等导电部件也以铜为主要材料;此外,设备小型辅助传动、导电滑台采用铜合金部件。

3、铝

铝材凭借高导热性满足芯片散热需求,又依靠轻量化、易精密加工、耐腐蚀的特性适配半导体设备结构件要求,也将成为韬定律产业链升级下的受益品种:

在先进封装领域,3D 堆叠芯片热密度较传统芯片提升2-3 倍,高导热铝制散热片、散热基板成为主流配置;同时,铝材也用于成熟制程封装的铝键合线,以及封装外壳、散热框架等辅助结构件。

在半导体设备领域,键合机、TSV 设备多采用铝合金制作机架与外壳;在低腐蚀工艺场景中,铝制真空腔体、晶圆承载平台应用普遍。此外,设备风冷、液冷系统同样大量使用铝制散热部件。

在光刻设备领域,韬定律技术路线以DUV光刻机为核心,轻量化铝合金结构件占该类设备总重量约20%,主要应用于光学系统支撑框架、废气处理系统管路。

4、锡

凭借突出的可焊性与耐腐蚀性,锡在先进封装、光刻耗材两大细分领域的需求有望稳步增长。

在先进封装领域,倒装芯片、FC-BGA 封装普遍使用锡基无铅焊锡膏、焊球;此外,3D堆叠架构引脚密度跃升,锡基微凸点成为实现高密度电气互连的关键材料;同时,引线框架表面镀锡,可有效提升封装器件的可焊性与抗腐蚀能力。

在光刻设备领域,锡基材料可用于制备光刻掩膜版防护层,也可对设备精密零部件做镀锡防腐处理。

5、合成橡胶

合成橡胶在半导体行业中主要作为密封材料及管路软管:

在先进封装设备领域,封装设备大量采用合成橡胶制作真空密封件及物料输送软管,该类部件需同时满足高耐腐蚀性、高真空密封性与低颗粒释放的要求,适配芯片封装的洁净生产环境。

在光刻设备领域,光刻机设备的真空系统密封件、光刻胶输送管路软管、光学系统防尘密封圈均以合成橡胶为主要原料。

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