国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“半导体的制备方法及半导体单元”的专利，公开号CN122121673A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造领域，具体地说，是涉及一种半导体的制备方法及半导体单元，该制备方法包括：形成曝光区域：根据所需要形成的半导体单元，利用光刻技术在晶圆上形成若干曝光区域；形成对准标记：在每个曝光区域内，通过光刻步骤或刻蚀步骤形成对准标记。本申请的半导体的制备方法通过将对准标记设置曝光区域内，有助于提高对准标记的识别，有效避免了光刻机对相邻曝光区域之间的对准标记的误判，防止对准标记的错误识别，从而有助于提高芯片的制造质量和性能。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目498次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息865条，此外企业还拥有行政许可47个。

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作者：情报员