2026年5月29日，三星电宣布该公司已开始向全球核心客户批量交付业界首批12层架构HBM4E样品。
今年早些时候，三星电子率先完成旗舰产品HBM4的规模化量产与商业化落地交付。在此基础上，持续迭代高带宽内存产品矩阵、完善技术路线布局，全新推出的HBM4E样品，精准适配人工智能算力升级、超大规模数据中心基础设施高速迭代的市场刚需。
三星HBM4E标准稳定引脚速率可达14Gbps，峰值速率可拓展至16Gbps，相较前代HBM4产品综合传输性能提升超20%。产品单堆叠最高可实现3.6 TB/s的超大内存带宽，能够高效承载大语言模型、新一代人工智能系统的高强度运算任务，充分释放高端AI设备的极致算力潜能。
此次亮相的12层HBM4E标准版单颗容量达48GB，相较于上一代产品容量提升超30%。后续三星将根据不同客户的场景化需求，陆续推出8层32GB、16层64GB等多规格版本，全面覆盖多元化市场需求，丰富高端HBM产品布局。
HBM4E深度融合三星全链条半导体核心技术，沿用HBM4量产阶段经过市场验证、成熟稳定的前沿工艺体系。搭载业界最先进的第六代10纳米级DRAM工艺（1c），搭配三星自研4纳米逻辑基底芯片，全方位提升产品工艺稳定性与量产良率，降低规模化生产风险。
另外，三星针对HBM4E的存储架构与逻辑架构开展全方位深度迭代优化，让产品在综合性能、能效比、生产良品率三大核心维度实现同步升级。依托全新自研低功耗设计技术与精细化封装结构优化，产品能效提升16%，耐热抗损耗性能提升超14%。
整体来看，HBM4E的样品交付标志着三星在高端AI存储领域完成又一次关键技术迭代，既是对自身HBM产品体系的完善升级，也为全球高带宽内存行业划定了全新的性能与能效标准。随着后续量产落地，这款全新产品将有效填补高阶AI算力的存储缺口，赋能大模型训练、超算数据中心等高端场景提质增效，持续驱动全球半导体与人工智能产业协同进阶。
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