英伟达2025年OCP提出的：10kV中压交流进直接出800V直流的SST，用来给 AI 数据中心（ Rubin / GB200 平台）供电，目标是效率≥98.5%、单台2.4–7.5MW、全SiC、高频隔离、可并机。
输入： 10kV AC （ ±10% ）， 50/60Hz
输出： 800V DC （ ±2% ），可并联均流
功率： 2.4MW / 3.6MW / 7.5MW 三档
效率： ≥98.5% （满负载）
器件： SiC/IGBT （ 10kV SiC MOSFET 或 IGBT ）
拓扑：三级（中压整流 CHB + 高频隔离 DAB/CLLC + 低压 DC/DC ）
高频变压器：纳米晶 / 非晶， 20–50kHz ，隔离耐压 ≥20kV
认证： OCP 、 UL 、 CE 、英伟达内部可靠性测试（ 2000 小时 + ）
1) 高压 SiC 长期可靠性： 10kV/20 年寿命、雷击 / 高低温循环不失效。
2) 高频绝缘与磁芯：纳米晶 / 非晶磁芯、高频绝缘材料扛住 100V/ns 的 dV/dt ，抑制电树枝化。
- 3) CHB/DAB/CLLC
拓扑与控制：漏感控制 ±5% 、软开关 ZVS 、双向功率流、电网谐波治理。
一、 CHB ： Cascaded H-Bridge 级联 H 桥（高压侧）
把多个 H 桥（单相全桥）模块输入串联、输出独立，用来直接接 10kV/35kV 交流电网。
CHB 级联 H 桥拓扑
核心作用（在 SST 里）
1) 高压分压： 10kV 由多个 H 桥串联分担，每个模块只承受～ 1–2kV ，可用 1700V SiC MOSFET ，不用天价 10kV 器件。
- 2)AC→DC
整流：把 10kV AC 变成高压直流母线（如 800V×N ）。
3) 高功率因数 + 低谐波：电网侧电流正弦， THD
4) 模块化、可扩展： 10kV 用 5–6 级， 35kV 再加级数。
二、 DAB ： Dual Active Bridge 双有源桥（隔离级）
原边H桥+高频变压器+副边H桥，双向、高频隔离 DC-DC 。
核心作用（在SST里）
- 1)高频隔离降压：把 CHB 输出的中压DC（如800V）降到低压DC（英伟达800V DC输出）
- 2) 双向功率流： AI 负载 / 储能都能双向，四象限运行
- 3) ZVS软开关：全负载范围零电压开通， SiC 损耗极小，效率98.5%–99%
- 4) 高功率密度： 20–50kHz 高频变压器，体积是工频的 1/5–1/10 。
普通 UPS 厂（没中压 SiC 和高频磁芯能力）， 只做 400V/48V 数据中心电源的（没 10kV 绝缘与拓扑），只做光伏逆变器的（中压电网稳定性、雷击保护不过关）等等难度很大。
这种不是实验室小功率玩具，不是想做就能做出来的，对研发团队的能力要求极高，国内的好多上市公司，都在筹划要做，但是要建立一个 SST 的研发团队何等容易？首先要具备有高压经验的尤其是高压级联 SVG ，国内是可以数的过来的，还要有 HVDC 经验的，隔离 DCDC ，高频磁芯经验的，算法和控制，还要有控制 FPGA 和 DSP 的。
只是只言片语，胡言乱语，仅供参考~！
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