国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“执行材料层的同时外延沉积的处理模块和半导体处理系统”的专利，公开号CN122105611A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，公开了一种配置用于执行材料层的同时外延沉积的半导体处理系统。该系统包括具有第一和第二室主体的处理模块，每个室主体具有在注入室凸缘和排气室凸缘之间延伸的上壁和下壁。气体输送系统包括气体源和附加气体源，其中气体导管流体联接到室主体。具有输入和输出导管的气体歧管将附加气体引导到室主体，由流量控制器控制。室主体横向分开并在中心平面的任一侧彼此相邻地定位，从而促进有效的同时沉积过程。

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作者：情报员