国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“执行材料层同时外延沉积的处理模块及其半导体处理系统”的专利，公开号CN122105612A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，公开了一种被配置用于执行材料层的同时外延沉积的处理模块。该模块包括公共腔室壳体，其中两个腔室主体设置在该公共腔室壳体内。每个腔室主体包括具有上壁和下壁的陶瓷焊接件、注入腔室凸缘和排气腔室凸缘、以及具有内密封表面和外密封表面的排气凸缘。盖板与排气凸缘的外密封表面形成密封。该模块还以具有活塞的压力缸为特征，该活塞在排气腔室凸缘和注入腔室凸缘之间施加压缩力。还公开了一种包括这种处理模块的半导体处理系统。

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作者：情报员