来源：新浪证券-红岸工作室

6月3日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品”的专利。申请公布号为CN122110595A，申请号为CN202610570245.0，申请公布日期为2026年5月29日，申请日期为2026年4月28日，发明人赵广、罗招龙、张国乾，专利代理机构济南圣达知识产权代理有限公司，专利代理师李琳，分类号G03F1/36、G03F7/20。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品，所述方法包括：获取待优化的初始版图，所述初始版图上包括多个目标图形，目标图形为具有对称性的孔洞图形；将所述初始版图上的多个目标图形同步旋转至多个不同角度，得到多个中间版图；对初始版图和每个中间版图，分别添加亚分辨率辅助图形，得到多个亚分辨率辅助图形集合；将所述多个亚分辨率辅助图形集合进行合并；将合并后的亚分辨率辅助图形集合添加至初始版图；根据掩膜可制造规则，对合并后的亚分辨率辅助图形集合进行优化。本发明通过旋转目标图形至多个角度，添加适配各个角度的辅助图形并进行合并，实现了辅助图形的充分添加，提升了工艺窗口。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发能力，为投资市场带来半导体领域的优质选择。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，通过研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及MiniLED、MCU概念、芯片概念等板块。

2025年，晶合集成营业收入达108.85亿元，在行业7家公司中排名第4，行业第一名中芯国际为673.23亿元，第二名华虹公司为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名同样为4/7，第一名中芯国际72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数9.67亿元，中位数4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1半导体结构及制备方法发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露2用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟3OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙4一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜5深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉6一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾7降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽8半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛9半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤10静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁11一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞12一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞13一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷14一种接触孔及其形成方法发明专利公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳15半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞16半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕17半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕18一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊19半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕20光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙21电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼22伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春23一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃24黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明25一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩26一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春27晶体管结构及其制备方法发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃28铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕29一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛30半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀31半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健32套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平33半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛34LDMOS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪35半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智36电容结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪37半导体测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春38半导体测试结构及厚度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋39图像传感结构、传感器及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦40一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟41机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清42一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶43一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮44漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小45一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲46静电放电保护器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋47金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28赵广、罗招龙48阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28王维安、程洋、朱敏49一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋50晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610380634.72026-03-26CN121941088A2026-04-28方晓宇、刁勤超、郭宜婷