国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种避免硅电容翘曲的方法”的专利，公开号CN122138412A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，一种避免硅电容翘曲的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底正面形成图形层；根据图形层的图案对半导体衬底进行刻蚀；去除图形层，并在刻蚀后的半导体衬底上依次制备底电极层、ONO结构层以及顶电极层；在半导体衬底背面制备氮化硅材质的应力补偿层，应力补偿层的内部应力与半导体衬底的应力相互抵消，实现整体应力的平衡。本申请采用等离子体增强化学气相沉积工艺在半导体衬底背面沉积氮化硅薄膜作为应力补偿层，氮化硅薄膜的内部应力与半导体衬底的应力相互作用，实现晶圆整体应力的平衡，使硅电容在沉积ONO结构后带来的翘曲问题得到稳定的解决，在后续的工艺中将保持稳定，不会随着其它工艺的完成而又恢复原始数值。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目498次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息877条，此外企业还拥有行政许可47个。

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作者：情报员