当"硬装备"遇上"软实力"：晶升股份SNEC 2026首发智能化控制系统与碳化钽涂层新品|晶升股份|智能化|涂层|石墨|碳化硅

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（来源：晶升股份）

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引言

在光伏与半导体产业加速内卷的当下，光有好设备这身“筋骨”已远远不够，更要有好“大脑”来驱动全局。2026年SNEC展会，晶升股份携第三代智能长晶控制系统、集中控制系统、碳化钽涂层石墨件及碳化硅涂层设备重磅亮相，全方位展示“装备+工艺+软件”深度融合的全栈能力。

过去几年，光伏行业的内卷，已从“拼产能”演化为“拼良率、拼效率、拼成本”的精细化竞争。在这一阶段，设备的智能化水平——即赋予设备思考与决策能力的“大脑”，往往比其机械结构的“骨骼”更能拉开代际之间的差距。

2026年，晶升股份在SNEC展台所呈现的，远不止升级后的硬件产品。真正的主角，是两款重新定义长晶生产管理方式的智能控制系统，以及两组在极端工况下守护核心工艺的关键表面工程方案。欢迎莅临，共同见证长晶智能化新时代的到来。

现场交流洽谈

第三代智能长晶控制系统

产品精彩亮相

第三代光伏长晶控制系统在继承前代产品先进控制逻辑与算法的基础上，新增引晶后段拉速达标控制、绝对液口距控制以及自动放埚与标定算法，能够更有效地抑制位错缺陷，显著提高引晶、放肩及等径阶段的晶棒成活率；同时，该系统通过优化工步串接流程与工步内自动逻辑，显著提升了长晶效率，并降低了人员配置需求与人工干预程度。

五大智能化突破：

智能控制算法矩阵：集成引晶后段拉速达标控制、绝对液口距控制、自动放埚、自动熔接和调温、长晶功率推荐等多项先进算法，大幅减少人工干预，让每一根晶棒的生长过程都可预测、可控制。

AI智能专家控制：通过对本炉次预设工艺与历史工艺的实时精准拟合，自动推荐适配当前长晶场景的最优功率及控制配方参数，快速调整当前棒次参数，抑制晶体位错生成，提升引晶、放肩及等径阶段晶体成活率。

液温自动校正：依据引晶效果的实际表现，采集理论数据与实测数值之间的差异，自动分析并完成液温系数的自动校正——这是之前完全依赖操作人员经验的环节，现在由系统自主完成。熔接和调温、长晶功率推荐等多项先进算法，大幅减少人工干预，让每一根晶棒的生长过程都可预测、可控制。

液位一键标定：支持一键设定，降低人工判断误差，提高一致性和自动化水平。

全面数据管理交互：可与MES、云端平台及各类智能应用高效对接，实现实时数据接收与发送，为工厂数字化转型提供底层支撑。

碳化钽涂层石墨件

产品精彩亮相

碳化钽涂层石墨件，专为半导体设备热场应用设计，适用于单晶生长、外延生长、MOCVD等核心工艺。通过化学气相沉积在高纯石墨表面形成致密碳化钽涂层，凭借高熔点、抗热震及耐等离子体腐蚀特性，有效抵御高温卤素气氛侵蚀，显著延长石墨件寿命；同时涂层极低金属释放率保障晶圆洁净度，提升薄膜生长质量与良率。涂层厚度均匀可控，热场适配性强。

四大技术硬核

纯度99.999%以上：致密碳化钽涂层完全阻隔石墨基体与反应气体接触，涂层纯度达99.999%以上，极低金属释放率，保障晶圆洁净度，直接提升薄膜生长质量与良率。

室温至2000℃长期服役：涂层与基体结合强度优异，在剧烈热循环下可长期服役，显著延长石墨件使用寿命，降低设备维护频率。

微观织构可调控：精准调控CVD沉积参数，可获得柱状晶或细晶等不同微观织构，完美匹配从长晶到外延的多样化工艺环境。

公差<±0.05mm + 全流程SPC管控：关键公差<±0.05mm，结合全流程SPC管控与唯一身份追溯，保障批次一致性，为规模化量产提供可靠支撑。

碳化硅涂层设备

产品精彩亮相

TC-SCR2295真空炉是制备高品质碳化硅涂层的核心工艺装备，采用化学气相沉积（CVD）工艺，终端产品主要应用于半导体设备（等离子体刻蚀机、薄膜沉积（CVD/PVD）设备、外延反应器等）核心工艺腔室内的关键耗材与部件防护场景；在光伏行业、航空航天军工领域也有广泛应用，是上述高端制造业中提升核心部件寿命、保障工艺安全与稳定、降低综合成本的关键支撑技术。

四大技术亮点

精准热场与流体控制：