来源：新浪证券-红岸工作室

6月6日消息，国家知识产权局信息显示，江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法”的专利。申请公布号为CN122147285A，申请号为CN202610214736.1，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2026年2月13日，发明人衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超，专利代理机构北京博遵律师事务所，专利代理师王春锋，分类号C23C16/455、H10P72/00、C23C16/458。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法，该配气组件包括：第一配气件，第一配气件中具有反应气体气路，反应气体气路包括位于第一配气件进气侧的至少一个反应气体进气口和位于第一配气件出气侧的多个反应气体出气口，多个反应气体出气口连通至反应气体进气口；第一配气件出气侧相对间隔设置有第一挡壁和第二挡壁，第一挡壁和第二挡壁之间形成出气腔，多个反应气体出气口连通至出气腔。本申请的配气组件将多个反应气体出气口连通至第一挡壁和第二挡壁之间的出气腔，使得反应气体能够以均匀的状态输出到反应区域，维持了反应气体输送的稳定性，实现了反应气体在基片表面的均匀成膜。

微导纳米成立于2015年12月25日，于2022年12月23日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省无锡市。该公司是国内先进微、纳米级薄膜沉积设备领先企业，以ALD技术为核心，产品优势显著。

微导纳米以ALD技术为核心，致力于先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用，为光伏、集成电路等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案。所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，概念板块包括专精特新、科创企业同股同权、太阳能（光伏）。

2025年，微导纳米营业收入26.33亿元，行业排名9/12，远低于第一名捷佳伟创的154.72亿元和第二名晶盛机电的113.57亿元，也低于行业平均数56.11亿元和中位数45.56亿元。主营业务中，光伏设备收入15.91亿元，占比60.43%；半导体设备8.81亿元，占比33.45%；配套产品及服务1.44亿元，占比5.47%；其他1431.86万元，占比0.54%；其他(补充)268.01万元，占比0.10%。净利润方面，2025年为2.19亿元，行业排名7/12，与第一名捷佳伟创的26.18亿元、第二名晶盛机电的8.59亿元差距较大，低于行业平均数5.17亿元和中位数2.96亿元。

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利实质审查的生效、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文2功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610426169.62026-04-02CN121968868A2026-05-01隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔3一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法发明专利公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵4进气装置和反应设备发明专利公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学5一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质发明专利公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波6一种硅片取放机构及导片系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华7用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超8半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超9半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法发明专利公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊10用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法发明专利公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超11一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波12一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣13载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡14喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧15喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏16半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾17防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷18一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超19加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林20一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超21一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超22半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福23反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡24反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴25支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛26一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚27承载支架和晶圆处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明28气路装置、气路控制方法、反应装置及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建29薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌30管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建31反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建32测试装置、测试方法及升降机构发明专利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福33一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛34ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远35ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远36进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森37支撑装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902345.02025-12-16CN121826663A2026-04-10周芸福、王国超、王卓、游巧38管路系统及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902165.22025-12-16CN121820270A2026-04-10邹天顺、龚炳建39一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511881677.52025-12-12CN121826653A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超40薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511869929.22025-12-11CN121295147A2026-01-09许允昕、周芸福41加热系统、半导体设备和加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511862984.92025-12-10CN121430206A2026-01-30周瑞、周芸福、龚炳建42检测设备及基片状态的检测方法发明专利公布CN202511850870.22025-12-09CN121646334A2026-03-10王新征、陈鹏43金属粉末及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511841229.22025-12-08CN121755701A2026-03-31李翔、王娟、袁红霞、糜珂44一种基片载具及基片处理设备发明专利公布CN202511823477.42025-12-04CN121646312A2026-03-10陶志豪、周芸福、许允昕45一种基片载具发明专利实质审查的生效、公布CN202511810588.12025-12-03CN121620138A2026-03-06许允昕、王宗林、周芸福46保护磁流体的主轴结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511630974.22025-11-07CN121111992A2025-12-12周芸福、许允昕47一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511500786.82025-10-20CN121320911A2026-01-13李向远、许所昌48用于臭氧气体输送系统的预处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511501179.32025-10-20CN121320912A2026-01-13高力、朱金成、张义明49一种半导体加工设备及其进气单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511416242.32025-09-29CN121161261A2025-12-19王天宇、安超、龚炳建、赵婷婷50一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415651.12025-09-29CN121320910A2026-01-13周芸福、黎微明、皮代波、王国超、赵婷婷、许所昌