国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“高纵横比金属栅极切口”的专利，公开号CN122161160A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本文提供了用以形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括一个或多个具有非常高的纵横比（例如，5:1或更大的纵横比，例如，10:1）的栅极切口。在示例中，一种半导体器件包括作为围绕半导体区或者在其他情况下位于半导体区上的晶体管栅极结构的部分的导电材料。例如，半导体区可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的鳍状物，或者可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的一个或多个纳米线或纳米带。可以采用延伸穿过栅极结构的整个厚度的栅极切口使栅极结构在两个晶体管之间中断。可以执行特定的等离子体蚀刻工艺，以形成具有非常高的高度与宽度纵横比的栅极切口，从而实现密集的集成器件。

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作者：情报员