国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器形成方法及图像传感器”的专利，公开号CN122180165A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：所述图像传感器正面工艺完成后，于半导体衬底背面形成第一介质层，所述第一介质层中包括高介电常数层；刻蚀所述第一介质层及半导体衬底，形成第一沟槽及硅通孔，所述第一沟槽的位置至少对应于第一隔离结构；于所述第一沟槽表面形成第二介质层，并于所述第二介质层表面及所述硅通孔填充金属层，以在后续工艺中使所述第一隔离结构接入电位，并与所述高介电常数层电性隔离。本发明能够通过较为简洁的方式形成具备隔离结构背面和硅通孔电性连接、并与高介电常数层电性隔离的背照式图像传感器，同时经过优化后，还可以使硅通孔形成的过程更加简单，节省了工艺成本，提高效率。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可111个。

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作者：情报员