国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种异质衬底的制备方法及异质衬底”的专利，公开号CN122172383A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底。通过提供第一、第二衬底结构；第一衬底结构包括层叠的第一衬底和第一介质层；第二衬底结构包括层叠设置的第二衬底、第二介质层、光电功能层和第三介质层；第一、第三介质层的材料相同；对第一、第二衬底结构进行键合，得到第一键合结构；第二介质层与光电功能层的键合界面的粗糙度大于第一介质层与第三介质层之间的键合界面的粗糙度；对第一键合结构进行第一退火处理；在外力作用下，第一键合结构沿第二介质层与光电功能层的键合界面分离，得到具有光电功能层的异质衬底。从而可以快速精准的将光功能材料转移至硅光衬底上，操作简单且成本低。

天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目144次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员