国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种非堆栈图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN122180163A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种非堆栈式背照式图像传感器的分地结构及电性连接通孔的制备方法。该方法基于常规背照式工艺，通过在像素区域与外围电路区域分别设计不同尺度的沟槽结构，在同一深沟槽隔离工艺中实现像素隔离沟槽的形成，并利用沟槽尺寸差异，使外围分地隔离结构及连接通孔在深沟槽刻蚀过程中可选择性刻穿硅层。在深沟槽工艺后，通过硅凹槽刻蚀进一步调整外围通孔底部结构，并在整体沉积介质膜后保留连接通孔的贯通开口；随后对通孔底部进行介质去除和金属沉积，形成稳定的电性互连结构，最终完成背照式结构的后续工艺。本发明无需采用额外的硅通孔掩模及独立穿硅制程，即可同时实现像素隔离结构、分地隔离结构及电性连接通孔的协同构建，显著简化了工艺流程，降低了制造成本，并提升了制程窗口与结构稳定性，适用于多类型非堆栈式背照式图像传感器的制备。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可111个。

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作者：情报员