国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“包含具有多个导电柱的触点的第III组N装置”的专利，公开号CN122180099A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，描述了包含具有多个导电柱的触点的第III‑N族装置。在一个实例中，半导体装置(300)包括半导体衬底(302)，所述半导体衬底包含源极区(305A)、栅极区(305B)、漏极区(305D)及漏极接入区(305C)，其中III‑N异质结结构(306)安置在所述半导体衬底(302)上方。所述III‑N异质结结构(306)包含位于所述半导体衬底(302)上方的缓冲层(304)及位于所述缓冲层(304)上方的势垒层(310)。触点(322A/322B)安置在所述源极区(305A)及漏极区(305D)中的至少一个中，其中所述触点(322A/322B)包含耦合到所述III‑N异质结结构(306)的多个导电柱。

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作者：情报员