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一、硅通孔的定义
硅通孔（TSV）是一种在硅晶圆上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，从而实现芯片内部不同层面之间电气连接的技术。它就像是连接不同楼层的电梯，让数据和电力可以在芯片的不同层面之间快速传输，显著提高芯片内部的互连密度，降低信号传输延迟，提高系统的整体性能。
二、硅通孔的测量难点
在3D集成电路中，插入层深度是决定堆叠密度与电性能的关键参数。为实现更高集成度，该层需极致薄化（通常为微米级），面临高深宽比的测量难点。
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例：该硅通孔的高深宽比结构达10比1
三、S neox测量解决方案
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使用10倍干涉镜头测量硅通孔的三维轮廓图
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表征这些先进半导体架构的一个关键参数是插入层的深度。因该层设计得尽可能薄，以尽量减少其占用的空间。通过使用SENSOFAR 3D光学轮廓仪 S neox，低放大率的干涉测量法进行测量，我们用10倍干涉镜头对这些小而深的孔进行精确测量，通过SensoPRO数据分析后，得出测量硅通孔的三维轮廓图。
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