国家知识产权局信息显示，中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122227943A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括介电叠层，介电叠层的顶部形成有图形定义层；在图形定义层中形成贯穿图形定义层的开口；在开口中形成侧墙叠层结构，侧墙叠层结构包括覆盖开口侧壁的第一侧墙层以及填充于开口的剩余空间中且覆盖第一侧墙层侧壁的第二侧墙层，且第一侧墙层的被刻蚀速率大于第二侧墙层的被刻蚀速率，第一侧墙层的被刻蚀速率与图形定义层的被刻蚀速率相一致；形成侧墙叠层结构之后，去除图形定义层；去除图形定义层之后，以侧墙叠层结构为掩膜，对介电叠层进行图形化处理，在介电叠层中形成沟槽；在沟槽中形成导电层。导电层的区域面积得到增加，增大后续形成工艺窗口，降低导电层与互连通孔不能全部接触的概率。

天眼查资料显示，中芯南方集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本650000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯南方集成电路制造有限公司参与招投标项目154次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可458个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息15010条，此外企业还拥有行政许可480个。

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作者：情报员