国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“基于纯铝中间层扩散阻留机制的加热盘及其制备方法”的专利，公开号CN122214864A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于纯铝中间层扩散阻留机制的加热盘及其制备方法，涉及半导体制造设备技术领域。所述加热盘包括铝合金基体；纯铝中间层，所述纯铝中间层覆盖于所述铝合金基体的表面，铝元素含量高于99%；所述纯铝中间层用于阻留所述铝合金基体中的合金元素在高温下向表面扩散；氟化铝层，所述氟化铝层覆盖于所述纯铝中间层的表面。本发明突破了加热盘对基体材料的限制，可以根据力学性能需求进行优化，通过选用高强度铝合金能够解决加热盘高温变形的问题，同时避免了合金元素对氟化腐蚀均匀性的不利影响，为设备设计提供了更大灵活性。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息526条，此外企业还拥有行政许可18个。

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作者：情报员