国家知识产权局信息显示,宸微设备科技(苏州)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN122248777A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底具有沟槽,所述沟槽的内表面的至少一部分包含硅层或硅基合金层;在所述硅层或硅基合金层上,采用一轮或多轮第一沉积工艺形成钼硅化合物层;在所述钼硅化合物层上,采用一轮或多轮第二沉积工艺形成钼层;其中,所述第一沉积工艺和第二沉积工艺在同一沉积腔室内完成。本公开能够在高深宽比场景下获得低阻、稳定的欧姆接触。
天眼查资料显示,宸微设备科技(苏州)有限公司,成立于2022年,位于苏州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3157.8947万人民币。通过天眼查大数据分析,宸微设备科技(苏州)有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息92条,此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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