国家知识产权局信息显示，合肥忆芯电子科技有限公司申请一项名为“用于DRAMLess存储设备的校验数据计算单元”的专利，公开号CN122240005A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供用于DRAMLess存储设备的校验数据计算单元，其中，介质接口控制器响应于第一XOR缓存单元获得了要被写入第一页条带的完整校验数据，发送携带第一XOR缓存单元的索引信息的第一通知消息；接收基于第一通知消息发送的第一介质接口命令；根据第一介质接口命令，将第一页条带的完整校验数据写入NVM芯片或者将第一页条带的完整校验数据搬移至SRAM，以释放第一XOR缓存单元。本申请在生成页条带的校验数据后，由存储命令处理单元及时生成指示校验数据搬移的介质接口命令，以释放缓存校验数据的XOR缓存单元，合理利用XOR缓存单元，实现对将校验数据写入NVM芯片的过程做进一步的调度，提升存储设备的性能。

天眼查资料显示，合肥忆芯电子科技有限公司，成立于2020年，位于合肥市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥忆芯电子科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员