国家知识产权局信息显示,联芯集成电路制造(厦门)有限公司申请一项名为“半导体装置的制作方法”的专利,公开号CN122249033A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体装置的制作方法,其包括下列步骤。提供包括第一部分位于低电压装置区中以及第二部分位于中电压装置区中的半导体基底。在第一部分与第二部分之上分别形成第一垫氧化物图案与第二垫氧化物图案。形成第一沟槽隔离结构与第二沟槽隔离结构。第一沟槽隔离结构的至少一部分形成在第一部分中且与第一垫氧化物图案相邻。第二沟槽隔离结构的至少一部分形成在第二部分中且与第二垫氧化物图案相邻。进行蚀刻制作工艺,且第二沟槽隔离结构的一部分以及第二垫氧化物图案被蚀刻制作工艺一并移除。
天眼查资料显示,联芯集成电路制造(厦门)有限公司,成立于2014年,位于厦门市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1619779.4万人民币。通过天眼查大数据分析,联芯集成电路制造(厦门)有限公司参与招投标项目32次,财产线索方面有商标信息8条,专利信息160条,此外企业还拥有行政许可322个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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