DB HiTek申请图像传感器及制造方法专利,事先防止在半导体层上发生的损伤
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国家知识产权局信息显示,DB HiTek株式会社;杭州长光辰芯微电子有限公司申请一项名为“图像传感器及制造方法”的专利,公开号CN122248818A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本发明涉及一种图像传感器及制造方法,尤其涉及一种通过在浮动二极管以及与所述浮动二极管电性连接的金属触点之间形成插头结构而事先防止可能会在形成所述浮动二极管的一侧的半导体层上发生的损伤的图像传感器及制造方法。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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