氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心赛道，是快充、AI 服务器、新能源车电源的刚需核心器件，市场高速增长的同时，跨国专利博弈频发。近两年英诺赛科与英飞凌横跨中美德三国的连环诉讼，堪称国产半导体企业出海专利攻防教科书。
▌案情回顾
这场专利战始于2024年，横跨美国、德国、中国三大核心市场，双方互相起诉、同步发起专利无效，持续近两年拉锯。
1、海外先行围剿
2024年3月，功率半导体巨头英飞凌率先在美国加州法院起诉英诺赛科，指控多款氮化镓器件侵犯其核心器件结构专利；同年7月加码发起美国337调查，申请海关排除令，意图直接切断英诺赛科美国出货通道。同期德国慕尼黑法院下达临时禁令，禁止英诺赛科在欧洲展会展示、销售涉诉产品，从欧美两端限制国产GaN产品落地。
2、国内反向起诉
面对海外诉讼围堵，2025年1月英诺赛科在苏州中院提起反诉，起诉英飞凌多款氮化镓快充、电源器件侵犯自身两项底层发明专利，索赔合计2000万元。英飞凌随即针对涉案专利提交无效宣告，国知局经审查驳回全部无效请求，确认英诺赛科两项核心专利稳定有效，为本土诉讼奠定基础。
3、国内外法院集中宣判
· 中国市场：苏州中院作出一审判决，认定英飞凌侵犯英诺赛科两项发明专利，法院判令英飞凌立即停止销售、许诺销售、进口相关侵权产品，赔偿英诺赛科经济损失合计人民币1000万元。同时，法院针对英飞凌一次性发出2张诉中临时禁令，送达当日立即生效。
英飞凌不服禁令裁定，向最高人民法院申请复议。2026年6月12日，最高人民法院正式发出复议裁定书，驳回英飞凌全部复议申请，维持禁令。英飞凌无法再上诉。这意味着，英飞凌多款氮化镓功率半导体产品即日起在中国境内全面停止销售。
· 美国市场：2026年5月7日，ITC全体委员作出最终裁定：确认英诺赛科当前的氮化镓功率器件产品未侵犯英飞凌相关专利，可不受限制地继续在美国进口和销售。委员会仅认定英诺赛科早已停产的历史旧产品对英飞凌一项专利构成侵权，相关禁令对现有业务不具有实质影响。
· 德国市场：2025年，德国慕尼黑地方法院在一审中判决英诺赛科侵犯英飞凌专利，禁止其在德国销售相关GaN产品。2026年6月，慕尼黑地方法院再次判决英诺赛科侵犯英飞凌两项知识产权（一项专利和一项实用新型），禁止英诺赛科在德国境内制造、销售侵权产品，并责令支付损害赔偿。这是英诺赛科在系列诉讼中的第三次和第四次败诉。
不过，英诺赛科随后宣布，根据慕尼黑法院的裁决，当前销售的氮化镓功率器件产品不落入英飞凌主张的专利保护范围，在德国不受限制。法院仅认定部分已退市的旧型号产品侵权。
▌对中国企业的启示
1、重视国内外专利布局
专利布局是“护城河”也是“武器”。出海企业不能只做国内专利布局，核心器件、底层工艺应同步申请PCT，覆盖美国、欧盟、东南亚核心销售区域。要注意围绕核心技术搭建高质量专利矩阵，这样才能在跨国专利诉讼中发挥制衡作用。
2、遭遇海外专利诉讼，积极应对不盲目妥协
英飞凌率先在德国和美国起诉英诺赛科，英诺赛科选择将主战场拉回中国境内发起反击。这种积极反制的应对策略，最终在中国战场取得决定性胜利。同时，英诺赛科在诉讼期间重新设计产品，避开英飞凌专利保护范围，最终在海外市场被确认不侵权，或者仅旧产品涉及侵权，保障主力新品海外正常销售。
在全球半导体产业竞争中，知识产权既是盾牌，也是利剑。提前做好全球专利布局、新品侵权检索。产品规避设计，才能才能在国际专利博弈中掌握主动权！
来源 | 高沃综合财经社、美通社、证券时报等
编辑 | 北京高沃知识产权（ID: gaowoip-com)
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