韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应，将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。
据韩国媒体23日报道，SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场。
这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与CNBC均援引消息称，"交易员将矛头指向一篇韩国媒体报道——SK海力士正在放缓AI存储芯片扩产，并将重心转回通用型DRAM"。
由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的60%，韩国股市随即暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐慌情绪随后向全球市场蔓延。
报道援引一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示，鉴于英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下调，该公司管理层已无必要加速推进向HBM4的产线转换。此番表态令市场对高端AI基础设施的需求前景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力。
周二美光收跌13%，西部数据收跌8.5%。
通用DRAM利润率反超HBM，促使SK海力士重新配置资源
韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。
截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势。大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%。
在此背景下，SK海力士据报正延迟将部分第五代HBM（HBM3E）产线转换为HBM4的计划，转而加大对通用DRAM市场的供应响应能力。SK海力士管理层不得不正视竞争对手三星电子已通过通用DRAM获取丰厚利润这一现实。
SK海力士在一季度财报中亦披露，DRAM平均售价已升至60%中段水平，并与微软签署了一份为期三年的DDR5供应合同，外界普遍将此解读为公司在通用DRAM领域锁定长期收益能见度的举措。
华尔街看多DRAM周期，HBM市场份额存分歧
多家海外投行的研判与上述战略取向相互印证。
高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够；
摩根士丹利则将整体存储价格周期而非HBM份额保卫战视为SK海力士估值的核心驱动因素，并基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将盈利预测上调56%至63%。
然而，HBM4扩产放缓也为竞争对手打开了窗口。
据Counterpoint Research数据，SK海力士去年四季度HBM市场份额为57%，但若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的份额或逐步收窄至50%至60%区间。
高端AI供应链压力浮现，英伟达Rubin系统备受关注
此次报道引发市场波动，折射出投资者对高端AI基础设施建设节奏的深层担忧。
SK海力士知情人士在报道中明确提及，英伟达下一代"Rubin"芯片的生产预测正在下调，这一表述直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期。
从更宏观视角来看，这一动向也与高端英伟达系统的推进困境相呼应。搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压。
SK海力士此次放缓HBM4扩张，究竟是主动管理定价节奏的战略选择，还是终端需求走软的信号，目前市场尚存分歧，但其触发的全球风险规避情绪已然真实落地。
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