国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“测试结构及其形成方法和金属线漏电的测试方法”的专利，公开号CN122270119A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，一种测试结构及其形成方法和金属线漏电的测试方法，其中测试结构包括：衬底；位于衬底上的若干金属线；若干导电插塞分别与对应的金属线电连接；第一测试板电连接奇数编号的金属线对应的导电插塞；第二测试板电连接偶数编号的金属线对应的导电插塞。通过把奇偶编号的金属线电连接到第一测试板和第二测试板，形成可独立施加偏压的梳状电极，进而通过对相邻金属线施加不同电位，一旦某处出现桥接或漏电，电流将沿低阻路径在第一测试板和第二测试板之间流动。此时配合热点侦测设备可捕捉到短接位置。测试过程中省去人工对齐密集图形进行数格定位，显著降低因图形过密导致的定位误差，同时缩短分析周期，使工艺回路异常点被快速和准确的锁定。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1837.8385万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息254条。

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作者：情报员