国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成薄膜的方法”的专利，公开号CN122256923A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，一种用于形成薄膜的衬底处理方法包括在反应室中提供衬底并执行第一金属氧化物循环和第二金属氧化物循环的超循环。超循环中的第一金属氧化物循环的数量与第二金属氧化物循环的数量的比率可以在6:1至1:2之间。掺杂的金属氧化物膜中的第一金属与第二金属的原子比为7:1至15:1。

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作者：情报员