国家知识产权局信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“基于铈掺杂InP基空间通讯用单光子雪崩探测器及其制备方法”的专利，公开号CN122269823A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开了基于铈掺杂InP基空间通讯用单光子雪崩探测器及其制备方法，探测器外延结构从下至上依次包括衬底、N型缓冲层、吸收层、能带过渡层、N型电荷层、本征倍增层、本征InP层及铈掺杂P型接触层，核心创新为Ce掺杂P型接触层与叠层钝化膜Ce掺杂改性的双重抗辐射设计。制备方法通过MOCVD外延生长、旋涂源扩散制备P型接触层、ICP刻蚀与湿法修复、磁控溅射掺杂及电极制备等步骤完成。本发明利用Ce独特电子结构抑制辐射诱导缺陷，结合SACM结构优化电场分布，实现低暗计数率、高探测灵敏度与卓越抗中子辐照性能，工艺与现有半导体产线兼容，适合晶圆级批量生产，可满足空间激光通讯、量子密钥分发等航天任务对高可靠单光子探测的需求。

天眼查资料显示，中山德华芯片技术有限公司，成立于2015年，位于中山市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9790.416万人民币。通过天眼查大数据分析，中山德华芯片技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息205条，此外企业还拥有行政许可44个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员