来源:市场资讯
(来源:第三代半导体产业)
近日,杭州镓仁半导体有限公司再传捷报——基于自主研发的铸造法单晶生长技术与MOCVD同质外延工艺,镓仁半导体已向头部芯片客户成功交付全球首片6英寸(100)面氧化镓同质外延片,并实现批量稳定供货,在第四代半导体赛道上跑出令全球瞩目的中国“镓”速度。
攻克核心技术 指标领跑全球
在长晶环节,镓仁半导体采用全球独创的铸造法长晶技术,稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合自主开发的超薄衬底加工技术,单块晶体可切割出的衬底数量提升至传统方案的3至4倍;同时大幅降低贵金属铱的用量,衬底单片成本较原来降低80%以上,有力推动了氧化镓材料的规模化应用。在外延环节,技术团队针对(100)面特点优化关键工艺参数,设计特色MOCVD外延工艺,成为全球首家且唯一一家实现6英寸氧化镓同质外延商业化供货的企业。出品的6英寸同质外延片外延层厚度大于10μm,膜厚方差小于1%,均匀性优异,为高性能器件制备提供了稳定可靠的材料基础。
傅立叶红外反射图谱
膜厚测试点位分布及对应结果
高分辨XRD摇摆曲线及对应点位测试结果
载流子浓度分布云图
C-V测试点位分布及对应结果
打通全链条 产能稳定供应
此前,氧化镓同质外延片在全球范围内长期存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点。镓仁半导体此次不仅实现了6英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付,更打通了“单晶—衬底—外延”的全流程稳定量产能力,建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线,批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单,多家合作客户已进行长期稳定采购。
(右下角为镓仁2英寸外延片对比样)
从“实验室”到“量产线”,从装备设计、晶体生长到外延工艺,镓仁半导体以全链条自主创新的“中国镓”速度,持续引领全球氧化镓产业发展。
值得关注的是,6月25-27日,作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台——“2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)”将在上海临港凯悦酒店举办。杭州镓仁半导体有限公司将携最新产品方案亮相本次会议(展位号:S23 ),镓仁半导体联合创始人、董事江继伟将出席会议,并在“氧化镓及金刚石功率器件及集成”主题论坛上做《商用6英寸氧化镓外延片进展》的主题报告,分享国内氧化镓产业链核心环节的最新产业化突破,拆解6英寸氧化镓外延片量产落地的痛点与实践路径。敬请关注!邀请函 | 镓仁半导体邀您参加CSPSD2026功率半导体器件与集成电路会议
重要会议:为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流,在第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导下,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月25-27日在上海联合主办,“2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)”。CSPSD2026作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台,会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式,会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体,报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系,全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展,为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。点击→
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