台积电董事长魏哲家现身
今日,台积电举办《台积电2026年中国技术论坛》。芯榜整理核心五大要点
1、市场高速增长:AI推动半导体市场扩容,2026年破万亿,2030年达1.5万亿美元。
2、制程迭代:2纳米工艺稳步量产,研发CFET技术,突破先进制程瓶颈。
3、封装+光电:先进封装持续迭代,2026年COUPE光电产品实现量产。
4、特色制程:汽车、射频、存储等制程升级,适配多类新兴应用场景。
5、扩产提能:加码高端产能建设,同步推进低碳可持续生产制造。
台积公司2026市场展望
智能革命的序幕正在揭开 。人工智能(AI)正从生成式 AI(Generative AI)和代理式 AI (Agentic AI) 向物理 AI(Physical AI)演进,而这一切皆由先进半导体技术无与伦比的性能与能效驱动 。此前预测认为,半导体市场将在 2030 年达成 1 万亿美元的里程碑;但现在我们预计,半导体市场将在今年突破 1 万亿美元,并在 2030 年达到 1.5 万亿美元。
这一市场增长主要来自高性能计算(HPC)和 AI 领域,占整体市场的 55% ,智能手机约占 20%,汽车与物联网各占约 10%。
随着 AI 从训练阶段(即模型学习阶段)走向广泛应用,推理(即利用训练好的 AI 进行预测或生成内容)的重要性日益提升 。AI 所产生的大语言模型处理文本词元(token) ,例如句子中的词语或图片中的像素等,能够提升生产力并创造更多价值,进而推动对 AI系统的进一步投资。这一正向循环将促进市场持续增加对支撑 AI 发展的半导体产品的需求。
先进逻辑技术
2纳米家族创新
N2 已于 2025 年第四季度进入量产;N2P 则按计划于 2026 年下半年投入量产;搭载超级电轨的 A16 预计于 2026 年下半年生产就绪。超高性能三层金属-绝缘体-金属(ultra-high performance 3-plate metal-insulator-metal ,UHP3MIM) 电容密度超过 500fF/μm2,将提升AI/HPC 产品的电源完整性。N2X 与 N2U 完成 PPA 优化后将分别计划于 2027 年和2028年量产。
N2U 是 N2P 的延伸技术,通过设计与技术协同优化,为 AI/HPC 和智能手机应用提供均衡的选择。
相较于 N2P ,N2U 可使速度提升 3~4%,功耗降低 8~ 10%,逻辑密度提升达3%。
超越N2的技术创新
晶体管架构已从平面结构演进至 FinFET , 目前正进一步迈向纳米片结构。在纳米片之后,垂直堆叠的 nFET 与 pFET,即互补场效应晶体管技术(CFET) ,有望成为未来的微缩候选方案。
近期,我们展示了全球最小的可运行 6T SRAM 存储单元,相比采用相近设计规则的传统纳米片设计,其占用面积(footprints)缩小约 30%。
此外,台积公司还展示了包含约 1,000 个晶体管的 CFET 环形振荡器(ring oscillators)。
TSMC3DFabric®技术
CoWoS技术是AI训练和推理的关键推动力
今年,我们宣布全球最大的 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 已进入量产,良率超过 98%。未来五年,CoWoS 技术将逐年迭代并扩大尺寸,以整合更多逻辑和 HBM 晶粒。
可整合 20 个 HBM 的 14 倍光罩尺寸 CoWoS 将于 2028 年量产。
可整合 24 个 HBM 、超过 14 倍光罩尺寸的版本预计于 2029 年准备就绪。
系统级晶圆(TSMC-SoW™)技术
SoW 是一项创新的晶圆级整合技术,能够整合逻辑与 HBM 晶粒,以满足 AI 训练对运算能力日益增长的需求。 SoW 可将中介层尺寸扩展至超过 40 倍光罩尺寸,支持多达 64 个HBM 和 16 个运算芯片的集成,并为实现完整的系统整合提供极佳的替代平台。
用于逻辑晶粒整合的SoW-P自2024年起开始量产。更先进的SoW-X技术可整合逻辑与HBM晶粒,预计于2029年就绪。
TSMC-SoIC®技术
相比采用 2.5D 互连的CoWoS,具备 3D 互连的 SoIC 可提供 56 倍的互连密度和5 倍的功耗效率。采用 9μm 键合间距的 N7 对 N7 SoIC 自 2023 年起开始量产,6μm 键合间距版本于 2025 年进入量产。 SoIC 技术将持续微缩,计划于 2028 年实现 6μm 键合间距的 N2 对N2 堆叠量产,并于 2029 年实现 4.5μm 键合间距的 A14 对 A14 堆叠。
紧凑型通用光子引擎(COUPE™)技术
COUPE 是实现共封装光学(CPO) 的核心解决方案。 与传统铜线相比,基板上搭载
COUPE 的CPO 可提供 4 倍的功耗效率且减少90%的延迟。将 COUPE 技术应用于中介层,性能可进一步提升,实现 10 倍的功耗效率,并减少95%的延迟。
全球首款搭载 COUPE 技术的 200Gbps 微环调制器(MRM)将于 2026 年进入量产。采用COUPE 技术的 MRM 在优异的制程控制下,误码率低于 1E-08。此外,我们将持续扩展该技术,以实现 400Gbps 调制器、多波长技术和多列光纤阵列单元,并于 2030 年实现4Tbps/mm 的带宽密度。
特殊制程技术
台积公司的先进汽车技术包括:
N3A 是目前汽车领域中最先进的逻辑制程,预计有超过 10 个新设计定案(tape-outs);N3A 已于 2025 年第四季度完成汽车应用认证。
N2P “Auto-Use ”制程设计套件(PDK),支持自动驾驶汽车及新兴物理 AI应用的启动设计程序。
基于 N2P 的 N2A 是首个应用于汽车领域的纳米片技术,预计于 2028 年第一季度完成认证。
业界领先的先进射频(RF)技术包括:
N4CRF 是目前最先进的 RF CMOS 技术。与 N6 RF+相比,N4CRF 可为智能手机和 AI 驱动眼镜等数字密集型(digital-intensive)RF SoC 产品降低 39%的功耗,并缩小33%的面积。
新开发的功能包括 0.5V 标准单元、提升 15% fmax 的高增益 FET,以及降低 30%噪声的低噪声 FET。
非易失性存储器技术正向MRAM和RRAM演进,从40/28/22纳米持续微缩至16/12纳米:
40/28/22 纳米的 RRAM 自 2022 年开始量产。
2 纳米的 RRAM 已准备推进客户设计定案。
28/22 纳米的 RRAM 已通过 Automotive Grade-1认证。 12 纳米 RRAM Auto预计于 2026 年底推出。
22 纳米的 MRAM 已量产, 16 纳米 MRAM 已准备推进客户设计定案。
旨在提升逻辑密度和效能的 12 纳米 MRAM 正处于开发阶段,预计于 2026年底准备就绪。
在显示技术方面,台积公司宣布推出业界首个FinFET高压平台,用于可折叠/轻薄OLED和AR眼镜:
与 N28HV 相比,N16HV 预计可将栅极密度提高 41%,并为高端智能手机降低 35%的功耗。
N16HV 还可为近眼显示引擎背板提供技术平台,与 28 纳米相比,可缩小40%的芯片面积并降低 20%的功耗。
卓越制造
为支持客户对 AI 和 HPC 的强劲需求,台积公司持续加速晶圆厂扩建:
N2/A16 产能预计将快速爬坡,2026 年至 2028 年实现 70%的年复合增长率。
2022 年至 2027 年,我们正以 25%的年复合增长率扩充 N3 和 N5 制程产能,以支持客户的业务增长。
得益于研发与制造部门之间紧密的团队合作,我们预计 N2 第一年的晶圆产量将比 N3 同期高出 45%。
2022 年至 2026 年, 台积公司客户对 AI 加速器(AI accelerator) 的需求量增长了 11 倍,对大晶粒芯片晶圆(large die wafer)需求增长 6 倍。
我们也正积极扩充 CoWoS 和 SoIC 产能,2022 年至 2027 年年复合增长率将超过 80%,以满足强劲的 AI 应用需求。
从2017年至2024年,我们平均每年建设四期新的晶圆厂 。在2026年,我们加快了产能扩建的步伐,计划建设九期新的晶圆厂。在中国大陆,我们将持续提供 16 和 28 纳米的产能,以支持各行业的客户创新。
在绿色制造方面,台积公司已承诺通过以下目标和举措, 以负责任且可持续的方式创新:
净零排放:台积公司承诺遵循科学碳目标(SBTs)及绝对减排措施,于2050 年实现净零排放。2025 年,台积公司实现了减排 380 万公吨二氧化碳当量。
资源循环:台积公司将持续研发并导入新废弃物资源化技术, 目标是到2030 年实现 70%的厂内资源回收率。2025 年,我们通过启用零废制造中心和特种化学品再利用,实现了 33%的厂内资源回收率。
水管理:台积公司目标通过区域解决方案,到 2040 年实现 100%水资源正效益,包括水源管理、再生水、海水淡化等等 。2025 年,台积公司实现了20%的水资源正效益和 18%的再生水利用率。
关于台积公司
台积公司成立于 1987 年,率先开创了专业集成电路制造服务的商业模式,自此成为全球领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司凭借业界领先的制程技术及设计解决方案组合支持其全球客户和伙伴生态系统的蓬勃发展,从而助力全球半导体产业的创新。作为全球企业公民,台积公司的业务遍及亚洲、欧洲和北美,并致力于践行企业社会责任。
2025 年,台积公司提供了涵盖先进制程、特殊制程和先进封装等 305 种制程技术,为 534个客户生产了 12,682 种不同产品。台积公司总部位于台湾地区的新竹。欲进一步了解有关详情,请访问台积公司网站:https://www.tsmc.com.tw。
欢迎报名:ICDIA2026,8月20-21日,南京
热门跟贴