伴随着AI产业爆发出强劲的需求，存储芯片的重要性提升，无论是DRAM内存，还是NAND闪存，市场规模快速膨胀，存储企业直接受益，业绩疯狂上涨。
在全球DRAM内存市场，三星、SK海力士和美光三家企业垄断90%全球市场份额，中国企业长鑫存储凭借8%的市占率一举打入世界第四。
如今，在全球NAND闪存市场，中国企业同样展露实力，市场份额逼近世界前三，不过NAND闪存市场行业集中度没有DRAM那么高，没有一家企业占据绝对领先地位，在AI加速推进过程中，行业大洗牌也开始了。
闪存市场大洗牌，中国厂商逼近前三
根据机构的统计，2026年一季度全球NAND闪存市场规模达到460亿美元，同比增长3.5倍，也超过了2023年全年的营收规模。
其中，今年一季度三星以29%的市占率，位居世界第一，三星无论是DRAM内存，还是NAND闪存，都做到了世界第一，技术护城河较高。
2025年三星在全球NAND闪存市场的市占率为31%，今年一季度市占率有所下滑，而三星在全球DRAM内存市场的市占率高达40%，处于绝对领先。
在闪存芯片市场，SK海力士位居世界第二，市占率达到18%，但是和去年四季度相比下降了4个百分点，目前SK海力士最厉害的是HBM高带宽内存，市占率全球第一，三星也不敌，大量的生产线都转向生产HBM内存去了，毕竟订单更多，利润更高。
在三星、SK海力士之后，全球第三是日本半导体巨头铠侠，在NAND市场市占率达到14%，在AI加速推动下，铠侠2025财年净利润暴涨93%，今年一季度净利润暴增30倍，在业绩的刺激下，铠侠的市值已经反超丰田汽车，成为日本市值最高的企业。
韩国其实也是如此，三星电子和SK海力士的市值都突破1万亿美元，近期SK海力士的市值还反超了三星，登顶韩国第一，整个韩国资本市场在两家半导体企业的带动下一路暴涨。
在铠侠之后，NAND闪存全球第四的位置竞争非常激烈，美光、闪迪和长江存储三家企业的市占率都是13%，而铠侠的市占率为14%，第三的位置其实不稳，很容易被反超。
因此，在全球AI产业巨大需求的带动下，三星和SK海力士短期内仍然稳居前二，很难被取代，但是全球第三的争夺将非常激烈，这里面增长最快的存储巨头是来自中国的长江存储，一季度营收同比大涨445%。
值得一提的是，2025年一季度长江存储在全球NAND市场的市占率为8%，今年一季度直线拉升至13%，提升了5个百分点，是全球NAND闪存芯片市场的一匹大黑马。
长江存储增长迅猛，技术差距不断缩小
长江存储成立于2016年，位于湖北武汉，是中国存储芯片巨头，和长鑫存储一同被称为中国存储“双子星”。长江存储是一家集合芯片设计、制造和封测于一体的存储芯片大厂，可以为全球用户提供3D NAND闪存芯片、存储芯片和企业级固态硬盘等产品。
最近，韩国发出了警告，他们认为长江存储已经成为全球NAND市场增长最快的企业，而且这种扩张速度正在威胁三星、SK海力士的闪存市场地位。
除了快速增长的业绩和市场份额，长江存储近期还登陆韩国本土市场，在韩国推出了消费级固态硬盘，攻进三星和SK海力士的大本营，向两位行业巨头发起挑战。
长江存储在技术层面正在不断逼近行业龙头，长江存储研发的294层3D NAND闪存芯片已经量产，与SK海力士321层、三星286层的NAND闪存技术差距大幅缩小。
另外，长江存储还在快速扩产产能，第三座NAND工厂将于2027年开始量产，在技术层面差距不断缩小和产能扩张的双重增长下，长江存储有望击败其他竞争对手，冲进世界前三。
对于长鑫、长江存储两大国内存储巨头来说，最大的对手还是韩国双雄，三星和SK海力士合计占全球DRAM内存市场70%的份额，占全球NAND市场50%的份额，占全球HBM市场80%的份额，是全球存储芯片市场绝对的领先者。
中国存储提升空间大，借助AI需求全力追赶
为什么韩国存储产业这么强？一方面是起步早，20世界70年代韩国全力押注半导体产业，80年代就进军DRAM市场，国家战略大资金扶持，近60%的研发费用由国家买单，三星和海力士全面冲击存储，高校企业联合研发，即便亏损也是国家兜底。
半导体有明显的行业周期，一旦产能过剩就会面临破产，三星早期不断亏损，海力士甚至差点破产，韩国几乎是举国之力在托底，银行贷款不断砸向存储巨头，研发从未停止。
另一方面，三星和SK海力士属于IDM一体化模式，从芯片设计、制造、堆叠，到后期的封装和测试，全部自己完成，上下游配套原材料、设备全部自主生产制造，避免外部供应链危机。
2026年一季度，三星和SK海力士的净利润合计4000亿人民币，预计2026全年两家企业的利润总和将突破2万亿人民币。令人感慨的是，这一波AI产业爆发出的巨大需求，有很大一部分利润都流入了韩国的口袋。
中国存储其实起步并不晚，但当时只是停留在实验室阶段，并没有商业化量产，一直到2016年才真正开始进入商业化市场，2016年长江存储和长鑫存储相继成立，一个专攻NAND闪存，一个专注DRAM内存，存储产业商业化比韩国慢了30多年。
如今AI产业如火如荼，对存储的需求爆发式增长，这正是中国存储厂商全面追赶的重要机遇，除了DRAM内存和NAND闪存，在HBM高带宽存储、核心设备、先进封装等领域的提升空间更大，这也是我国半导体行业快速增长和寻求核心技术突破的绝佳机遇。
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