国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种薄膜及其制备方法、芯片”的专利，公开号CN122294930A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及多孔薄膜技术领域，特别涉及一种薄膜及其制备方法、芯片。该薄膜包括层叠设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层包括SiCOH和SiCNOH，第二膜层包括SiON，其中，第一膜层和第二膜层中均包括纳米孔。由于该第一膜层和第二膜层中均包括纳米孔，使得该薄膜具有较低的介电常数，同时，因为SiCNOH和SiON中存在SI‑N‑SI以及SI‑C‑N的交联结构，该薄膜还具有较高的机械强度。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可322个。

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作者：情报员