盘面上，深市低开高走，沪市低开震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨2.95%，成交额达5551.08万元；换手率达3.44%。成分股中，格科微、翱捷科技-U涨超5%，思瑞浦、安凯微、寒武纪等多股跟涨。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近13个交易日（2026年6月10日—2026年6月29日）实现连续“吸金”，最近20个交易日累计获资金净流入10.23亿元。截至2026年6月29日，该基金最新规模为16.02亿元，再创上市以来新高，为同标的全市场第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达154.47%，其行业配置主要包括半导体（95.15%）、军工电子Ⅱ（3.74%）、软件开发（0.66%）等，前五大成分股为澜起科技、寒武纪、海光信息、佰维存储、芯原股份。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据新浪财经，韩国政府联合三星电子、SK集团宣布启动以半导体、物理AI及AI数据中心为核心的“三大超级项目”，计划投入超过4755万亿韩元，旨在构建本土AI生态系统以支撑其未来数十年的发展。同期，据网易新闻，韩国官员预计将在五年内实现DRAM生产能力翻倍，并预测全球内存市场规模将在同期增长四倍。此外，两大集团的投资重点包括在西南地区新建多座晶圆厂，并大幅提前龙仁半导体产业集群的建设周期。

英大证券认为，科创芯片作为战略核心资产，其“自主可控”与“国产替代”的长期向好逻辑未变，尤其在政策强力扶持下，设备、材料及制造环节将深度受益。随着市场重心转向验证业绩，板块内部分化将加剧，具备真实业绩增长的细分龙头有望走出独立行情，而无基本面支撑的题材股将面临回调风险。投资者应避免追高，采取逢低布局优质龙头的策略。

风险提示：本文观点不构成任何投资建议，请投资人独立判断和决策。指数基金存在跟踪误差。