SK纳力世申请铜箔及其电极二次电池制造方法专利,铜箔的第一表面上的镜面反射率为1.0至30.0
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国家知识产权局信息显示,SK纳力世有限公司申请一项名为“铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池及其制造方法”的专利,公开号CN122314907A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本公开的一个实施方案提供了一种铜箔,其具有第一表面和第二表面,并且包括:铜膜,该铜膜具有朝向第一表面的哑光面和朝向第二表面的亮光面;和设置在所述铜膜上的保护层;其中铜箔的第一表面上的镜面反射率为1.0至30.0。镜面反射率是指从以包含镜面反射(SCI)模式测量的亮度指数减去以排除镜面反射(SCE)模式测量的亮度指数所得到的值,且使用色度计测量。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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