三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，显示将会在2025年开始大规模量产2nm工艺，更为先进的1.4nm工艺将首次引入High-NA EUV光刻技术，预计会在2027年量产。不过三星在去年调整了规划，表示1.4nm工艺的量产工作将延后至2029年，将重点放在2nm工艺的优化上，提升性能和能耗表现，并提高良品率，原因是晶圆代工部门在当时状态下无法控制运营损失。

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据TrendForce报道，随着英特尔与台积电（TSMC）在2028年至2029年左右实现1.4nm工艺的大规模生产，三星打算重新加入竞争，推进1.4nm工艺的开发工作，只不过量产时间方面会稍微落后于竞争对手。

有消息称，三星最近向国内外的合作伙伴发出请求，早日开发相关工艺设备。有消息人士透露，三星已经在NRD-K工厂安装了ASML的下一代High-NA光刻设备，将从1.4nm工艺开始，应用于特定工艺层。

三星重新推进1.4nm工艺项目引发了外界的关注，被认为是缩小与台积电等竞争对手的举动。台积电计划最早2027年3月试产1.4nm工艺，2028年下半年实现大规模生产。英特尔的Intel 18A-P工艺已经进入试点生产阶段，Intel 14预计2028年实现风险生产，并于2029年量产。

考虑到新一代AI芯片对于半导体工艺有着更高的要求，如果三星的1.4nm工艺在量产方面落后太多，那么很可能会失去市场机会。即便开发和生产资源根据实际需求进行调整，三星也不希望太拖沓。