国家知识产权局信息显示，SK纳力世有限公司申请一项名为“铜箔、包含其的电极、包含其的二次电池及其制造方法”的专利，公开号CN122314906A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开的一个实施方案提供了一种铜箔，其包括具有哑光面和亮光面的铜膜；和设置在所述铜膜上的保护层；其中当相邻像素之间的取向差为5°或更大的边界被视为晶界时，室温GOS值为0°至小于2°的晶粒(包括孪晶)的面积相对于总横截面积的面积比为45%至95%。室温GOS值是使用电子背散射衍射(EBSD)图案分析仪在室温下对铜箔的横截面所测量的。

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作者：情报员