国家知识产权局信息显示，盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司申请一项名为“薄膜沉积装置”的专利，公开号CN122303844A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明的薄膜沉积装置包括：腔室，形成密闭空间；泵送管道，与所述腔室的下部面相连接；加热器，以上下贯通所述腔室和所述泵送管道的连接部分的方式进行设置；主阀，设置于所述泵送管道的后端侧；子阀，形成包围所述加热器的轴的结构，并设置于所述腔室和所述泵送管道的连接部分；以及马达，与所述子阀相连接，使所述子阀运行，由此，可借助所述子阀来更加精密地调节所述腔室的压力，从而可以提高晶片的薄膜沉积品质。

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作者：情报员