国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“无缝单一操作之非晶硅间隙填充”的专利，公开号CN122342299A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，示例性半导体处理方法可包括将含硅前体提供到半导体处理腔室的处理区域。包括一或多个特征的基板可容纳在所述处理区域内。所述方法可包括将含氢前体提供到所述半导体处理腔室的所述处理区域。所述方法可包括形成所述含硅前体及所述含氢前体的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅材料。所述含硅材料可延伸到所述一或多个特征中。

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作者：情报员