国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件斜坡结构的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN122341083A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件斜坡结构的制备方法及半导体器件，应用于半导体器件制备技术领域，包括在衬底表面的预设位置制备阻挡层；以预设角度沿从阻挡层指向斜坡区域的方向对衬底进行离子注入，在斜坡区域形成离子注入区；离子注入区与阻挡层之间为非离子注入区；逐步调整预设角度的数值，并在每次确定下一预设角度后进行离子注入，直至斜坡区域具有预设的离子注入浓度梯度；刻蚀具有预设离子注入浓度梯度的斜坡区域，形成斜坡结构。随着预设角度的调整可以逐步对斜坡区域的各个位置进行离子注入，在斜坡区域可以形成具有预设离子注入浓度梯度的区域。由于离子注入浓度不同的区域其刻蚀速率也会不同，从而经过刻蚀就可以形成斜坡结构。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目301次，财产线索方面有商标信息116条，专利信息2265条，此外企业还拥有行政许可88个。

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作者：情报员