国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“节省高阻掩膜版的工艺集成方法及半导体结构”的专利，公开号CN122349246A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种节省高阻掩膜版的工艺集成方法及半导体结构。该结构包括半导体衬底、金属栅极、高阻电阻以及覆盖于其上方的刻蚀停止层和绝缘介质层，高阻区域高度低于器件区域高度。其方法包括：利用多晶硅前层工艺对高阻区域刻蚀减薄；依次形成高阻层和多晶硅层；沉积刻蚀停止层和绝缘介质层并平坦化，利用高度差使高阻区域上方保留介质层；进行伪多晶硅去除工艺，利用保留的介质层作阻挡层以形成高阻电阻。本发明无需额外高阻掩膜版即可实现高阻电阻的图形化，大幅降低了光罩成本和制造成本，缩短了生产周期，并改善了平坦化中的碟形凹陷问题。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2089次，专利信息2824条，此外企业还拥有行政许可544个。

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作者：情报员