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（来源：半导体芯情）
存储模组企业威刚科技预警，2026年第三季度DRAM内存与NAND闪存价格将再度上调，内存及存储产品售价会进一步走高。威刚董事长陈立白表示，各大内存原厂已放出通知，2026年第三季度DRAM合约价将继续上涨20%至30%，NAND闪存价格涨幅更是达到35%至40%，两类存储芯片价格将持续上行，有望持续带动公司经营业绩增长。陈立白称，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。
对于今年存储走势，威刚董事长陈立白指出，目前全球存储芯片供需结构已明显改变，在卖方主导的市场下，今年不论是DRAM或NAND Flash都是一货难求，今年完全没有供过于求的问题，价格更是只涨不跌。
陈立白认为，今年不管DRAM还是NAND市场需求都是“从年头好到年尾”，持续呈现“多头”市场的行情，更有业者认为缺货、涨价将会持续到2027你年、甚至是2028年。他表示，目前不想谈那么远，但最起码“2026年是扎扎实实地DRAM一路缺，NAND预期也一路缺”。
至于存储芯片的价格走势，陈立白则认为要看头部几大原厂的态度，从去年第四季到今年第一季涨幅超过40%。他表示，AI算力需求旺盛，加上供货端大幅减少，预估DDR4、DDR5、SSD都将是会从年头涨到年底，第三季也难解缺口，价格可能持续上涨。尤其是NAND未来缺货程度可能比大家预料还严重，涨幅可能会追上DRAM。
对于存储市场前景，威刚董事长陈立白表示，随着全球AI数据中心建设的加速，高容量、高频宽存储产品的需求正快速攀升。特别是在新一代Vera Rubin平台中，存储配置呈倍数级增长。全球存储市场不仅在今年将维持供不应求的状态，明年的缺货态势甚至可能进一步加剧。
业内人士表示，存储芯片过去长期被视为强周期产品，价格随库存与需求周期大幅波动。此轮上涨来自AI基础设施建设带来的长期结构性需求，市场不再只把当前行情看作普通周期反弹，而是认为存储行业有望进入比以往更长的结构性高景气阶段，全球存储芯片市场正经历一场史无前例的“超级周期”。国际数据机构IDC的专家分析指出，本轮涨价的核心驱动力并非终端需求爆发，而是AI芯片对存储产能的“虹吸效应”。
半导体芯情了解到，全球存储原厂都在积极扩产，存储芯片产能供需不足成既定事实。美光科技周六启动日本广岛工厂的扩建，以进一步提高先进存储芯片的产能，满足不断增长的人工智能(AI)算力硬件需求。该扩建工程的投资额达到1.5万亿日元（约合93亿美元），日本经济产业省为该项目提供不超过5000亿日元的补贴支持。该工厂将生产高带宽内存等AI基建急需的芯片。制造设备的交付和安装计划于2028年下半年开始。存储芯片公司竞相在全球扩大产能。美光正在Boise建设两座先进晶圆厂，今年1月为位于纽约州的千亿美元生产基地举行奠基仪式，以提高美国本土DRAM产量。韩国SK海力士和三星电子也在积极扩大产能。
据了解，陈立白是中国台湾第一大记忆体模组厂威刚(ADATA)的董事长，经营威刚科技以来，以诚信为本、殷实专业，为公司创下业绩与获利高度成长之卓越经营绩效。ADATA现已位居"全球第二大记忆体模组厂"地位，并且成为"2007中国台湾第十四大国际品牌"，证明了经营ADATA建立市场地位与品牌价值之卓越贡献，也竖立了一个值得学习的成功企业典范。
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