在国内科研领域，国家科技一等奖代表着基础研究与技术创新的最高荣誉，长期以来被顶尖名校、头部科研院所牢牢垄断，地方高校鲜有机会问鼎。
而南昌大学江风益院士，用十年时间两次登顶国家级科技最高领奖台，两度斩获国家科技一等奖，每一次成果都具备开创性、突破性价值。
一次登顶或许是机遇，可十年两冠，便是无可辩驳的硬核实力，他不仅是南昌大学的“宝藏级科研大家”，更是撑起江西高端科研版图的核心脊梁。
在最新召开的国家科学技术奖励大会上，江风益院士领衔的“V缺陷三维PN结及应用”项目，成功斩获国家自然科学奖一等奖，为江西科研事业再添重磅荣誉。该项目聚焦硅基氮化镓LED应用基础研究，彻底跳出国外传统技术路线的束缚，摒弃跟随式研发模式，开辟出完全自主可控的全新技术路径。
团队创新性提出全新理论方法，实现了LED基础研究领域的技术跃升，成功完成从基础理论攻坚、核心技术突破到市场化商品化的全链条落地，填补了行业技术空白。
此次获奖意义深远，不仅刷新了南昌大学的科研高度，更实现了江西省国家自然科学一等奖零的突破，彻底补齐了江西基础科研领域的短板，将全省基础研究综合实力推向全新高度，成为江西高等教育与科技发展的里程碑事件。
回望十年前，江风益就已带领团队创下震惊国内科研界的奇迹。彼时尚未当选院士的他，敢闯科研“无人区”，牵头攻关的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目，一举摘得国家技术发明奖一等奖。
该奖项含金量空前，不仅是当年度全国唯一的国家技术发明奖一等奖，更是国家科学技术奖设立以来，全国首个由地方高校斩获的一等奖，彻底打破了顶尖名校对国家级顶级科技奖项的长期垄断，让地方高校科研力量站上了国家级顶尖舞台。
在项目研发过程中，江风益团队攻坚克难、自主自强，成功研制出生产型MOCVD设备，攻克LED高端装备设计制造核心技术，真正实现技术自主可控，彻底打破发达国家的长期技术垄断。同时，团队研发的黄光LED芯片，发光效率远超国外最高水平，成功破解了困扰全球该领域五十余年的世界性技术难题，技术水准稳居世界前列，收获国际同行的广泛认可与高度赞誉。
深耕科研、潜心治学的坚守，让江风益的学术造诣与行业影响力持续攀升。2019年，他成功当选中国科学院信息技术科学部院士，成为南昌大学本土培养的首位中国科学院院士。这一突破，不仅是其个人学术生涯的至高荣誉，更标志着南昌大学高端领军人才建设取得历史性突破，见证了江西本土科研力量从薄弱突围、强势崛起的全过程。
江风益出生于1963年，是江西余干人。早年从吉林大学毕业后，他毅然放弃去北京的机会，选择回到家乡南昌大学任教，他始终专注于半导体发光领域深耕细作，在LED基础理论、核心技术、产业应用等领域取得一系列开创性成果，为超高能效、光谱精细可调的新型LED照明光源研发奠定了坚实基础，深刻影响了行业发展格局。
除了深耕科研一线，江风益也曾长期深耕高校管理岗位。2008年，他出任南昌大学副校长，在岗位上兢兢业业履职十余年，为学校学科建设、科研平台搭建、人才队伍培育倾注大量心血，为南昌大学科研实力的稳步提升筑牢根基。
2023年卸任副校长职务后，他并未停下科研的脚步，转身奔赴新的科研战场，牵头组建江西省首个省实验室——南昌实验室并担任主任，持续聚焦关键核心技术攻关，助力江西科创产业高质量发展。
从十年前打破名校垄断、斩获国家技术发明一等奖，到如今实现江西零的突破、拿下国家自然科学一等奖；从潜心钻研核心技术、攻克“卡脖子”难题，到培育本土科研人才、赋能区域产业发展，江风益院士三十余年坚守初心、默默追光。
他以开拓性、系统性、创造性的学术成果，带领江西科研持续突围，让南昌大学的科研成果走向全国、享誉国际。低调务实、深耕不辍，以身践行科研报国的初心，江风益院士当之无愧是国之栋梁、江西骄傲。
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