国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用金属膜填充通孔的方法”的专利，公开号CN122373786A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，公开了一种用于将金属膜沉积到衬底上的特征中的方法。特别地，该方法可以包括低温等离子体沉积步骤、热蚀刻步骤和选择性填充步骤。该方法允许沉积在界面处具有较低接触电阻的金属膜，从而导致半导体器件的更好的电性能。

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作者：情报员