听风辨势∣半导体芯片国产化景气持续上行|ddr|dram|内存

来源：市场资讯

（来源：国金证券第5小时）

半导体芯片国产化

景气持续上行

●●● 缘起 ●●●

AI算力基础设施持续扩张叠加存储芯片进入超级涨价周期，半导体芯片国产化进程全面提速。近期存储芯片量价齐升态势显著，DRAM合约价环比涨幅超13%，NOR Flash、SLC NAND供不应求；晶圆代工产能利用率逼近满产，先进制程产能成为稀缺资源；内存接口芯片受DDR5子代迭代加速与MRDIMM渗透率提升双重驱动，需求持续攀升。多重景气共振之下，国产半导体核心环节迎来业绩兑现窗口。

背景逻辑

◼ 存储芯片超级周期确立，量价齐升驱动业绩爆发

AI训练与推理对存力需求持续超预期，TrendForce预计2026年三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%、NAND Flash合约价环比上涨10%-15%，存储芯片行业景气有望延续至2027年。国内长鑫存储、长江存储份额加速提升，利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND均呈供不应求态势，涨价贯穿全年，存储原厂及贴近原厂的设计公司业绩弹性巨大。

◼ 晶圆代工产能紧俏，国产替代红利持续释放

中芯国际产能利用率维持93%以上高位接近满产，2026年计划新增4万片12寸月产能，全年资本开支约81亿美元与上年持平。国内本土设计公司加速供应链份额扩张，在地化制造需求旺盛，成熟制程产能向存储、电源管理、模拟等高景气产品线倾斜，晶圆代工龙头显著受益产业链回流与国产替代双重趋势。

◼内存互联芯片量价齐升，DDR5迭代打开长期空间

澜起科技一季度营收和净利润均创单季度历史新高，互联类芯片毛利率重回70%以上。DDR5子代迭代加速，第三、四子代RCD芯片出货占比快速提升；MRDIMM渗透率提升带动MRCD/MDB需求爆发，2026年全球内存互连芯片市场规模有望达18.46亿美元，2025-2030年CAGR达25.9%，量价齐升趋势确立。

催化引擎

1、存储芯片涨价周期延续，DRAM/NAND合约价持续上行，国产存储厂商份额加速提升；

2、中芯国际先进制程产能持续扩张，产能利用率维持高位，AI相关芯片代工需求旺盛；

3、DDR5向DDR6迭代加速推进，MRDIMM渗透率提升驱动内存接口芯片量价齐升空间打开。