国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“具有竖直地位于分层层组之间的源区的微电子装置,以及相关方法和系统”的专利,授权公告号CN114725120B,申请日期为2021年12月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“具有竖直地位于分层层组之间的源区的微电子装置,以及相关方法和系统”的专利,授权公告号CN114725120B,申请日期为2021年12月。
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