国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种工艺腔室、半导体器件的加工方法及介质”的专利，公开号CN122358163A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种工艺腔室、一种半导体器件的加工方法及一种介质。该工艺腔室包括腔室本体、射频电源、第一传感器和处理器。该腔室本体的内部设有晶圆托盘，而外壁在晶圆托盘以下的位置设有观察窗。该射频电源用于向晶圆托盘上方的工艺区域提供射频电场，以在工艺区域形成等离子体。该第一传感器经由观察窗采集晶圆托盘下方的光强信号。该处理器连接第一传感器，并被配置为：根据光强信号的值，输出对晶圆托盘下方的寄生电容的检测结果。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息535条，此外企业还拥有行政许可18个。

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作者：情报员