7月10日，日经225指数收涨1.20%，报68557.73点。韩国综指收涨2.52%，报7475.94点。个股方面，三星电子涨近4%。

消息面上，韩国半导体制造商SK海力士的美国存托凭证（ADR）周五在美股纳斯达克公开交易，此次发行价定为每股149美元，较公司本周四韩国股市普通股收盘价溢价约3.1%。按这一价格计算，此次发行规模约265亿美元，SK海力士或将创下外资企业在美国第一大规模的IPO纪录。另外，SK海力士发行的美国存托凭证（ADR）认购倍数已超过七倍，远超市场预期。市场分析认为，SK海力士在半导体板块大幅回调之际选择上市，反映出国际资金对AI存储龙头的配置需求依然强劲。

此外，三星电子正悄然布局AI PC芯片市场。这家韩国科技巨头旗下系统LSI事业部正在开发一款专为AI PC设计的生成式AI加速芯片，代号"GAIA"，并已向联想、惠普（HPQ.US）等主要PC制造商提供原型样品进行性能验证，最快明年启动量产。

据行业消息人士透露，GAIA采用4纳米制程工艺，定位为"存储中心型AI加速器"，核心设计思路是将计算功能尽可能靠近内存部署。三星还在推进该芯片与下一代DRAM技术处理器内存（PIM）的整合，后者具备在存储数据的同时直接执行运算的能力。

本周四，另一存储芯片巨头美光科技（MU.US）宣布大幅上调在美投资计划，于2035年前在美国投资超过2500亿美元，较去年公布的2000亿美元目标大幅提升。公司表示，追加投资旨在实现一项长期目标——将通用型DRAM产量的40%放在美国本土生产。另外，美光还宣布将投入最高30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统。受上述消息提振，美光科技股价当天开盘大涨超7%，收盘涨超4%，并带动芯片板块集体走强，应用材料（AMAT.US）公司股价涨超3%，迈威尔科技（MRVL.US）涨近5%，安谋涨超9%。

瑞银7月存储报告显示，全球存储芯片上月销售额达746亿美元创历史新高，环比大涨31.7%；其中DRAM销售额480亿美元，环比增27.7%；NAND闪存258亿美元，环比飙升40.7%。AI算力拉动HBM需求爆发，机构预计2026年、2027年行业总收入分别达9920亿美元、1.76万亿美元，结构性供给紧缺至少延续至2028年中。

瑞银大幅上调下半年存储涨价预期，DRAM、NAND三季度涨幅预计分别达32%、30%。美光、三星、SK海力士为周期核心受益标的，同时机构提示，云厂商AI资本开支可持续性是本轮上行周期主要潜在风险。