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（来源：invest wallstreet）

瑞银（UBS）预测：7月内存月报数据，全球内存月销售额创下746亿美元的历史新高，环比大幅增长31.7%，高于10年季节性均值2.8个百分点。这一数据促使瑞银与伯恩斯坦（Bernstein）双双预测合约价格将出现大幅上涨，此前华尔街对本轮涨势能持续多久存在明显分歧。瑞银在报告中指出："在AI驱动需求加速及长期协议（LTA）谈判持续推进的背景下，内存上行周期正进一步强化。"

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一、月报核心数据综述

根据瑞银（UBS）7月内存月报，全球内存月销售额创下746亿美元的历史新高，环比大幅增长31.7%，较10年季节性均值高出2.8个百分点。

从细分品类看，DRAM与NAND走势分化明显：

品类

月销售额

环比增速

与10年季节性均值对比

DRAM

约480亿美元

+27.7%

约8.0个百分点

NAND

约258亿美元

+40.7%

约16.9个百分点

DRAM销售额虽创历史新高，但仍低于季节性均值，表明消费电子等终端市场需求尚未全面复苏。NAND则受AI相关存储需求拉动，远超历史常态水平。

瑞银在报告中指出："在AI驱动需求加速及长期协议（LTA）谈判持续推进的背景下，内存上行周期正进一步强化。"

二、瑞银与伯恩斯坦的观点剖析与分歧

（一）瑞银（UBS）：极度乐观，结构性短缺延续至2028年

价格预测：

  • 2026年Q3 DDR合约价环比上涨32%（此前预期17%），Q4再涨18%（此前预期12%）

  • 2026年Q3 NAND环比上涨30%，Q4上涨12%

供需判断：瑞银预计DRAM行业将至少持续供不应求至2028年第二季度。2027年位元需求预计同比增长36.2%，显著超过供应增速19.3%，供需缺口达17个百分点。若不考虑下游库存回补，供应短缺比率将从2026年的8.1%恶化至2027年的13.6%，瑞银称这一水平为"过去30年未见"。

HBM是核心驱动力： 瑞银预计2026年HBM需求同比增长90%，达约331亿GB；2027年再增长77%，达约587亿GB，主要受超大规模数据中心持续部署AI加速器驱动。

行业营收预测： 2026年全球内存行业总收入将达9,920亿美元，2027年突破1.76万亿美元。

（二）伯恩斯坦（Bernstein）：短期乐观但中期审慎

短期同样看涨：伯恩斯坦6月追踪数据显示，2026年Q2主流DRAM合约价环比上涨约74%，NAND整体合约价环比上涨约60%。其中Server DRAM涨幅约60%-67%，Mobile DRAM接近80%。

核心分歧——周期能持续多久：

伯恩斯坦虽然认为本轮存储牛市有望延续至2027年，但明确指出价格快速拉升的阶段已经过去。该机构的核心观点包括：

  1. 消费端需求破坏终将发生： "我们仍然认为，消费端的需求破坏最终将会发生，价格上涨的速度应在2026年第三季度明显放缓。"

  2. 提前消费只是暂时缓冲： 伯恩斯坦承认提前消费行为迄今限制了需求下滑，服务器需求也持续消化增量供应，但将这两者视为暂时性缓冲，而非持久性支撑。

  3. 价格模型更审慎： "我们预测内存价格将逐步见顶，并从2027年下半年至2028年开始趋于正常化。"

（三）两家机构的共识

两家机构在以下方面看法一致：

  • LTA（长期协议）的关键作用： 伯恩斯坦将LTA视为"结构性缓冲"，瑞银同样将其列为当前上行周期的重要驱动因素

  • 短期价格大幅上涨的方向一致

  • AI服务器需求是核心驱动力

三、主要受益标的

本轮内存上行周期中，最直接受益的上市公司包括：

  • 美光科技（Micron Technology） ：正在日本广岛扩建工厂，投资1.5万亿日元（约93亿美元），专注量产HBM等高端存储芯片，预计2028年夏季出货

  • 三星电子（Samsung Electronics） ：计划Q3 DRAM平均售价上调最高20%，已在韩国光州规划两座存储芯片工厂

  • SK海力士（SK Hynix） ：同样在全罗道周边建设两座晶圆厂

  • 闪迪（SanDisk） ：主要生产NAND闪存，同样受益

三星电子、SK海力士、铠侠等存储芯片巨头近期股价大涨，其中三星电子涨超8%，铠侠涨超9%，SK海力士涨超10%。

四、投资分析

（一）看多逻辑

  1. AI需求的结构性支撑： HBM需求2026-2027年保持77%-90%的同比增速，是这轮周期的核心驱动力，与以往消费电子驱动的周期有本质不同。

  2. 供给端约束持续： 三大巨头虽在扩产，但产能释放需要时间（美光日本工厂预计2028年出货），短期供给弹性有限。

  3. 供需缺口达历史极端水平： 瑞银指出的"过去30年未见"的供需失衡程度，若兑现，价格上行空间可能超出市场预期。

  4. LTA机制平滑周期波动： 更多长期协议的签署有助于减轻未来价格回调的冲击。

（二）看空/风险因素

  1. 消费端需求破坏： 伯恩斯坦的警告不可忽视——手机、PC等消费电子需求已经开始转弱，价格涨幅预计Q3明显放缓。

  2. 超大规模云服务商的负担能力： 瑞银自身也承认，主要风险在于云厂商"仍需继续进入资本市场为资本支出融资"。若融资环境恶化，AI资本支出可能不及预期。

  3. 扩产带来的供给释放： 三星、SK海力士合计投资规模达800万亿韩元，美光也在多地建厂，2028年后供给可能大幅增加。

  4. 高基数效应： 2026年Q2 DRAM已大涨74%，Q3即便环比再涨32%，同比增速也将显著放缓。

（三）投资策略思考

维度

建议关注

短期（6-12个月）

上行趋势明确，瑞银与伯恩斯坦均看涨，可关注存储芯片龙头及产业链

中期（1-2年）

分歧点在于2027年下半年是否见顶，需密切跟踪消费端需求和云厂商资本支出

风险监控

消费电子终端需求、云厂商融资环境、新增产能释放节奏、LTA签约进度

五、总结和展望

瑞银7月内存月报746亿美元的销售数据，叠加31.7%的环比增速，确认了本轮内存上行周期正处于加速强化阶段。瑞银与伯恩斯坦在短期方向上高度一致——均预测合约价格将大幅上涨——但在周期持续性上存在根本性分歧：瑞银认为结构性短缺将延续至2028年中，伯恩斯坦则认为2027年下半年至2028年将见顶回落。

这一分歧本质上是对AI需求可持续性的不同判断。瑞银更相信AI资本支出将长期支撑需求，而伯恩斯坦更担心消费端疲软最终会拖累整个市场。投资者需根据自身风险偏好和投资期限，在"AI结构性需求"与"消费端需求破坏"之间做出权衡。