来源：新浪证券-红岸工作室

7月11日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高效组装散热型整流桥”的专利，授权公告号CN224482060U，授权公告日为2026年7月10日。申请号为CN202521104109.X，申请公布日期为2026年7月10日，申请日期为2025年5月30日，发明人王双、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10W70/40、H10W40/22。

专利摘要显示，一种高效组装线整流桥，涉及半导体技术领域。包括塑封体和散热器；塑封体背部设有固定连接的定位销，定位销上设有若干组倒刺台阶；散热器设有与定位销适配的定位孔，将整流桥的背面与散热器表面快速贴合连接，在整流桥本身长宽不变的条件下，本案通过整流桥外表面塑封体结构改进和散热器结构优化，将塑封体螺丝固定安装所需的45秒降至3秒，组装效率提升15倍。与此同时，取消原有本体表面的安装通孔，产品内部的结构可以优化，增加内部铜片导电的面积，增加导热能力。

扬杰科技是国内功率半导体分立器件领域领先企业，核心产品覆盖多类功率半导体品类，具备全产业链布局优势。公司成立于2006年8月2日，2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

公司主营业务集研发、生产、销售于一体，深耕功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时布局汽车芯片、第三代半导体、氮化镓相关赛道。

2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元，在18家同行业企业中排名第3，仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元，大幅高于行业平均39.84亿元、行业中位数13亿元水平；营收结构中半导体器件贡献62.57亿元，占比87.75%，半导体芯片贡献5.34亿元占比7.49%，半导体硅片贡献1.67亿元占比2.35%，其余业务贡献1.72亿元占比2.41%。盈利端表现亮眼，2025年公司实现净利润12.45亿元，位列18家同行业企业第1，显著高于第二名捷捷微电的4.76亿元，远超行业平均-3.38亿元、行业中位数5933.85万元的水平。

业务板块营收规模（亿元）营收占比半导体器件87.75%半导体芯片5.347.49%半导体硅片1.672.35%其他（补充）1.722.41%

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低寄生电感功率二极管及制备方法发明专利公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅2一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅3一种高功率密度TVS二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅4一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅5一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅6一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅7一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅8一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅9一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅10一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅11一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅12一种高功率密度三极管及制备方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅13一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅14一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅15一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅16一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅17一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅18光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、王毅19一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅20二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅21二极管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅22二极管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅23一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅24一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅25一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅26一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅27一种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、王玉林、张敏、王毅28提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅29多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅30一种高效组装散热型整流桥实用新型授权CN202521104109.X2025-05-30CN224482060U2026-07-10王双、王毅31一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅32单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅33一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅34一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅35一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅36一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅37一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅38一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅39自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅40整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅41整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅42框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅43一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅44一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅45具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅46具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅47整流桥防反治具实用新型授权CN202423192234.92024-12-24CN223665429U2025-12-12金超、徐俊、王毅48一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411854926.72024-12-17CN119584574A2025-03-07王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅49一种晶圆加工用吸附装置实用新型授权CN202423106298.22024-12-17CN223566605U2025-11-18唐红梅、张晓勇、王毅50具有高续流能力的SIC MOSFET器件实用新型授权CN202423106302.52024-12-17CN223584622U2025-11-21王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅