国家知识产权局信息显示，成都中微晶体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体生长装置”的专利，公开号CN122358316A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅长晶技术领域。碳化硅晶体生长装置包括坩埚，坩埚顶部安装有籽晶，坩埚内安装有承载件，承载件将坩埚在轴向上分隔为第一区域和第二区域，第一区域位于承载件与籽晶之间。承载件与籽晶相对的一面为承载面且用于放置长晶原料。承载件具有多个镂空孔，承载面与籽晶的间距在靠近坩埚内壁的方向上逐渐增大，多个镂空孔的孔径尺寸在靠近坩埚内壁的方向上逐渐增大。可以使一些碳颗粒从镂空孔掉落至第二区域，减小一些碳颗粒或长晶颗粒伴随升华后的长晶气相进入到碳化硅晶体的生长界面上，从而可以减小碳化硅晶体生长过程中出现碳包裹的现象。

天眼查资料显示，成都中微晶体材料有限公司，成立于2020年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都中微晶体材料有限公司参与招投标项目18次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可19个。

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作者：情报员